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2016年3月27日 星期日

Poly Space Effect (PSE)


接着来说Poly space effect (PSE) 或是Poly spacing effect,从字面上是Poly距离对元件造成的影响,而元件闸极是用Poly silicon所实现的,所以PSE就是闸极距离对元件所产生的影响(注一)。

什麽是PSE?
传统的PSE是因光罩的误差,制作过程中蚀刻(Etch)、沉积(Deposition)所造成的误差。这可以用利用蒙地卡罗分析(Monte-Carlo analysis)来做模拟,来预估结果。而这里要说的PSE则是另一个原因造成的。

2016年3月12日 星期六

OD Space Effect (OSE)

从0.25um以下的半导体制程,利用STI的方法来做隔绝元件与元件。由於STI的作法,会在Substrate上挖出一个沟槽,再填入二氧化矽当绝缘层,这个动作会产生应力的问题,对元件NMOS和PMOS产生额外的影响。

本篇所谈的OD space effect (OSE) or OD spacing effect和先前提到的LOD effect [1], [2]一样, 都是因为半导体制程里STI (Shallow trench isolation)所造成的,所以LOD和OSE可称为STI stress effect。在65nm之前的制程,OSE的影响并不明显,所以STI stress effect单纯指LOD effect。而45nm以下的先进制程,OSE的影响就不能再被忽略了。

2016年3月6日 星期日

跟着Double C去溜滑梯-奥尔森林学堂


跟着Double C去溜滑梯-奥尔森林学堂
旅游日期: 2016/3/5
人员: bu, lesley, pcchen, mcchen
天气: 晴
Geocache:? GCFBK5
座标: ? N 25° 00.153 E 121° 19.653

奥尔森林学堂位在桃园的虎头山山脚下,属於桃园虎头山风景区里的一员。第一次听到这名字时心里想为什麽要叫"奥尔",原来这是一个以猫头鹰(Owl)为主题,再搭配很多儿童游戏设施的公园。